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ON 场效应管 2N7002LT1G

  • ON 场效应管 2N7002LT1G
  • 详情
  • 产品参数
品牌
ON
批号
21+
封装
SOT23
数量
200000
制造商
ON Semiconductor
产品种类
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
115 mA
Rds On-漏源导通电阻
7.5 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
300 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
高度
0.94 mm
长度
2.9 mm
系列
2N7002L
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1.3 mm
正向跨导 - 最小值
80 mS
典型关闭延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
20 ns
单位重量
31 mg
可售卖地
全国
型号
2N7002LT1G

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