ST 场效应管 STF7NM60N-ST(意法半导体)-深圳欧凯鑫锐科技有限公司

ST 场效应管 STF7NM60N

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产品参数

品牌

ST

批号

18+

封装

TO-220-3

数量

1800

制造商

STMicroelectronics

产品种类

MOSFET管

RoHS

是

技术

Si

安装风格

Through Hole

封装 / 箱体

TO-220-3

晶体管极性

N-Channel

通道数量

1 Channel

Vds-漏源极击穿电压

600 V

Id-连续漏极电流

5 A

Rds On-漏源导通电阻

900 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压

25 V

Vgs th-栅源极阈值电压

3 V

Qg-栅极电荷

12 nC

最大工作温度

+ 150 C

Pd-功率耗散

20 W

商标名

MDmesh

封装

Tube

配置

Single

系列

STF7NM60N

晶体管类型

1 N-Channel

商标

STMicroelectronics

产品类型

MOSFET

工厂包装数量

1000

子类别

MOSFETs

单位重量

330 mg

可售卖地

全国

类型

Power MOSFET

型号

STF7NM60N

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