意法半导体 MOSFET STW26NM60N-ST(意法半导体)-深圳欧凯鑫锐科技有限公司

意法半导体 MOSFET STW26NM60N

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产品参数

品牌

ST

批号

2020+

封装

T0-247

数量

1000000

制造商

STMicroelectronics

产品种类

MOSFET

RoHS

是

安装风格

Through Hole

封装 / 箱体

TO-247-3

通道数量

1 Channel

晶体管极性

N-Channel

Vds-漏源极击穿电压

600 V

Id-连续漏极电流

20 A

Rds On-漏源导通电阻

165 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压

10 V

Vgs th-栅源极阈值电压

2 V

Qg-栅极电荷

60 nC

最小工作温度

- 55 C

最大工作温度

+ 150 C

Pd-功率耗散

140 W

配置

Single

通道模式

Enhancement

高度

20.15 mm

长度

15.75 mm

系列

STW26NM60N

晶体管类型

1 N-Channel Power MOSFET

宽度

5.15 mm

下降时间

50 ns

上升时间

25 ns

典型关闭延迟时间

85 ns

典型接通延迟时间

13 ns

单位重量

38 g

可售卖地

全国

型号

STW26NM60N

半导体芯片

上一个：无

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